蘇州納維科技有限公司成立於2007年5月，公司以中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所為技術依托，專注於從事氮化鎵襯底晶片及相關設備的研發和產業化，提供各類氮化鎵材料，目前公司擁有核心技術專利近三十項，是中國首家氮化鎵襯底晶片供應商。

目前公司針對企業、高校和研究所的不同用戶，主要提供如下產品：

一、15～40微米厚度的2英吋GaN厚膜襯底，位錯密度為10⁷/cm²量級，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型

二、2英吋自支撐氮化鎵襯底，厚度0.25~0.35mm，位錯密度為10⁵/cm²量級，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型

三、小尺寸方形（邊長5mm~20mm）自支撐氮化鎵襯底，位錯密度為10⁵/cm²量級，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型，單面或者雙面拋光

四、小尺寸非極性面和半極性面自支撐氮化鎵襯底，a面或者m面

五、高結晶度氮化鎵粉體材料

六、氮化鋁襯底

蘇州納維將立足於材料生長技術和設備的持續創新，在氮化物半導體材料及應用領域成長為一家具有原創知識產權和核心競爭力的國際化高科 技公司，為氮化物半導體產業的發展貢獻力量。

蘇州納維科技有限公司與磊拓科技於2017年正式簽約，成為台灣GaN先進材料代理商。