區熔法


 

自從五十年代末期區熔(Float Zone)技術的出現後,Haldor Topsoe就一直積極從事於Float Zone晶片的研究與生產。在發展過程中開發了許多用於Float Zone晶片生產的特殊設備。 2004年,隸屬於Haldor Topsoe的設備部門被PVA TePla集團公司所收購,如今併入Crystal Growing Systems, CGS中。Float Zone得名於其特殊的生長方式。首先將從西門子法CVD爐中用特殊製程生產的高密度Poly Rod固定在Float Zone長晶設備中,接著使用間接加熱方式將Poly Rod加熱至導體狀態,接著由感應線圈接手加熱,讓Poly Rod局部熔化,接著在底部準備一根單晶晶種,當矽湯碰觸到單晶晶種時,便會開始結晶,同時間單晶晶種會向下旋轉,以便於有足夠的空間使矽湯凝結成單晶棒。Float Zone與CZ法最大的不同在於製程中不需要坩堝,熱場中也沒有石墨元件,因此可以將晶體氧含量及碳含量降至最低,適用於半導體高功率元件。