EpiWorld



        Epiworld 為一家獨立研發、專業生產碳化矽磊晶晶片的公司。創辦人趙建輝先生在1988年獲得美國卡內基梅 隆 大學工學博士,是美國第一個因對碳化矽研發及產業化做出重大貢獻而被評選為國際電機電子工程院士(IEEE follow)的先驅。他 在研究的貢獻包含:研發出世界第一個接近1000V的碳化矽肖特基二極體,世界第一個碳化矽晶閘管,世界首個碳化矽BJT電晶體,發明並開發了目前世界上 唯一的最具實用價值的"normal close"碳化矽垂直型JFET。並在1998年創辦了聯合碳化矽公司(United Silicon Carbide, Inc.),為目前美國碳化矽功率元件重要的製造商,惟趙建輝博士專注於磊晶技術已退出經營。

        Epiworld目前具有可生產3英寸、4英寸和6英寸碳化矽晶片的磊晶系統、自動缺陷鑑定和掃描測試系統,配備在class 100的無塵室的環境中,並且獲得ISO9001、ISO14001、OHSAS18001管理體系認證證書。

        公司的近期目標是成為全球市場主要的碳化矽磊晶晶片供應商,並且在最短的交貨時間內以最具競爭力的價格提供高品質的碳化矽磊晶晶片。作 為一家碳化矽磊晶生產服務的專營公司,目前我們可提供標準的4英寸和6英寸的碳化矽磊晶晶片,用於3千伏範圍的肖特基二極管(SBD)、金屬氧化物半導體 場效應晶體管(MOSFET)、結型場效應晶體管(JFET)和雙極性接面型電晶體(BJT)的製作。這些電力電子器件可廣泛應用於包括太陽能逆變器、風 力發電、混合動力及電動汽車等綠色能源和節能系統。另外,我們也提供客製化晶片,包含應用於絕緣閘雙極電晶體(IGBT)、可關斷晶閘管(GTO)和各種 高壓轉換應用的新型研發之結構。

        在品質方面,Epiworld配有最新的檢驗測試的機台量測表面型態、膜厚、摻雜濃度、TTV、bow、warp以及 flatness,以確保各項品質皆符合客戶的需求。 




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